RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Gesamtnote
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
37
Rund um 38% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
10.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1751
2179
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB RAM-Vergleiche
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link