RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
37
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
37
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
2179
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link