RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2179
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link