RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Gesamtnote
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
30
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
13.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1751
3238
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB RAM-Vergleiche
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X2048-8500C5 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Inmos + 256MB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link