RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Comparez
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Note globale
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
30
Autour de 23% latence réduite
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
30
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
5.6
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1751
3238
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Comparaison des RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Comparaison des RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link