RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
35
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2607
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link