RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
35
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
35
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2607
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link