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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
25
Rund um -47% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.1
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.2
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
22.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
17.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
4042
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
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