RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
64
Rund um 61% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
64
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
10.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2194
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link