RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
31
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
13.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3403
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link