RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3403
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link