RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
73
Wokół strony -284% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3355
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
ASint Technology SLB304G08-GGNHM 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ASU16D3LU1KBG/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link