RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
73
En -284% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
19
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3355
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link