RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
73
En -284% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
19
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3355
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link