RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
73
Autour de -284% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
19
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3355
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link