RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
73
Autour de -284% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
19
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3355
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link