RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
27
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
19
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3355
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link