RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
87
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2880
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link