RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
13.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
13.5
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2880
3601
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link