RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
70
Wokół strony 74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
70
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2926
1934
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link