RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
13.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.8
18.5
Скорость записи, Гб/сек
13.5
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2880
3601
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link