RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
38
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
36
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2473
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Inmos + 256MB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link