RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
33
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
13.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3367
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link