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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
比較する
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
33
周辺 24% 低遅延
考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.5
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.6
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
33
読み出し速度、GB/s
16.1
16.5
書き込み速度、GB/秒
10.1
13.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
3367
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB RAMの比較
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Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
INTENSO M418039 8GB
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