RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
35
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
13.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3299
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link