RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
35
Autour de 29% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
35
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3299
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2 8GB
Kingston 99U5471-050.A00LF 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link