RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
26
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
10.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2497
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link