RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
26
Autour de 4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
26
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2497
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link