RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
26
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
15.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3332
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link