RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
49
Rund um -63% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.3
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
9.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
1651
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link