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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
49
Intorno -63% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.3
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
30
Velocità di lettura, GB/s
10.2
10.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
1651
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
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