RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
26
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.9
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
13.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3437
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link