RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
26
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
26
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3437
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link