RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
25
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.5
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
14.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3355
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link