Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB

Note globale
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Note globale
star star star star star
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    19 left arrow 25
    Autour de -32% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    19.5 left arrow 16.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    14.9 left arrow 10.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 12800
    Autour de 1.33 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    25 left arrow 19
  • Vitesse de lecture, GB/s
    16.1 left arrow 19.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    10.1 left arrow 14.9
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2764 left arrow 3355
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons