RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
25
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
12.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3037
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link