RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
25
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3037
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link