RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
63
81
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.5
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.6
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
81
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
1651
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Mushkin 991586 2GB
Jinyu 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link