RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
比較する
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
総合得点
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
総合得点
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
63
81
周辺 22% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
8.5
3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
5.6
1,447.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
5300
周辺 3.62 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
63
81
読み出し速度、GB/s
3,231.0
8.5
書き込み速度、GB/秒
1,447.3
5.6
メモリ帯域幅、mbps
5300
19200
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
478
1651
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAMの比較
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link