RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
62
Rund um 60% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2138
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link