RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
62
Autour de 60% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
62
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2138
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link