RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
50
62
Autour de 19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
62
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
2138
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link