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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
50
62
Intorno 19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
62
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
2138
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
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