RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.6
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
77
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
1688
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link