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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB

Pontuação geral
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Pontuação geral
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Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB

Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 14.7
    Valor médio nos testes
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB Razões a considerar
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Relatar um erro
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    7.6 left arrow 2,622.0
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 5300
    Por volta de 4.02 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    77 left arrow 77
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,405.2 left arrow 14.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,622.0 left arrow 7.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    763 left arrow 1688

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB Comparações de RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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