RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.6
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
77
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
14.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
1688
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link