RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
33
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
11.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2664
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link