RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
35
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
12.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2963
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link