RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
35
Por volta de 29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
35
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
12.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2963
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link