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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
19.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
46
Por volta de -70% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.0
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
3200
Por volta de 6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
27
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
16.0
Largura de banda de memória, mbps
3200
19200
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3909
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
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