RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
33
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
8.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2498
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link