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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
33
Intorno 24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
8.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
33
Velocità di lettura, GB/s
16.1
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2498
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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